一次離子可能受到樣品表面的背散射，也有部分進入樣品表面，這部分離子把能量傳遞給晶格，當入射能量大于晶格對原子的束縛能是，部分原子脫離晶格向表面運動，并且產生原子間的級聯碰撞，當這一能量傳遞到表面，并且大于表面的束縛能時，
飛行時間二次離子質譜儀促使表面原子脫離樣品，在高速旋轉的加工頭與被加工工件表面之間加上含有微細磨粒的研磨液，并產生一定的壓力。通過高速旋轉的加工頭所產生的高速氣流及離心力，使磨粒沖擊或擦過工件表面，產生彈性破壞物質的原子結合，從而往除工件表面的材料。它可使材料內部不產生錯位和缺陷，從而實現原子級加工。并可獲得非常優良的表面。
利用飛行時間二次離子質譜儀影像可以觀察試片表面所含有之元素，由適當的縱面元素之分析，可以了解污染之深度。經擴散及離子，結合離子布植技術在IC或其他半導元件之應用。基本上按照其在自然界的豐度比出現在質譜中，這對于利用質譜確定化合物及碎片的元素組成有很大方便, 還可利用穩定同位素合成標記化合物，氘等標記化合物，再用質譜法檢出這些化合物，在質譜圖外貌上無變化，只是質量數的位移，從而說明化合物結構，反應歷程等。可以在線獲得樣品中更多的信息，保留了微區分析的特點，沒有基體效應。其特點有：分隔的真空腔體有利于濺射中性粒子的收集和離子化；中性粒子的離子化可以使用電子轟擊，熱電離，激光共振等成熟的離子化技術，質量分析器可以使用小型的四極桿或者飛行時間質量分析器，基于電場的獨立小型質量分析器有利于減小儀器體積和縮短分析時間。
更新時間：2017-03-02 
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